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IT之家 5 月 26 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F square DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F square 级别，在不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。
4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。
三星组建了专业的团队，研发 4F square 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。
在漏极（D）上方安装一个存储电荷的电容器，晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触，其中 WL 连接到栅极（G），负责晶体管的开 / 关；而 BL 连接到源极（S），负责读取和写入数据。
