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IT之家 5 月 26 日消息,根据韩媒 The Elec 报道,三星组建了一支专业的团队,负责开发 4F square DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F square 级别,在不改变工艺节点的情况下,芯片面积最高可减少 30%。

4F Square 是一种单元结构技术,DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化,但最后以失败告终。

三星组建了专业的团队,研发 4F square 结构。IT之家从韩媒报道中获悉,晶体管根据电流流入和流出的方向,形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)整套系统。

在漏极(D)上方安装一个存储电荷的电容器,晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触,其中 WL 连接到栅极(G),负责晶体管的开 / 关;而 BL 连接到源极(S),负责读取和写入数据。

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