矽源特CST8002D特性:


【资料图】

VDD=5V,RL=3Ω,Po=3W,THD+N≤10%

宽工作电压范围1.8V—5.5V

优异的上掉电POP声抑制

无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络

单位增益稳定

矽源特CST8002D采用SOP8封装

矽源特CST8002D封装尺寸:

SOP8:

矽源特CST8002D封装尺寸:SOP8:

矽源特CST8002D引脚分布图:

矽源特CST8002D引脚分布图:

矽源特CST8002D典型应用电路:

矽源特CST8002D原理框图:

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