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每年到这时候，随着下一代旗舰芯片设计的完成，并开始进入流片阶段，市场就开始流出下一代手机旗舰芯片的各种信息。近期，微博大V“数码闲聊站”就爆料称高通下一代旗舰芯片SM8650也就是骁龙8 Gen 3不仅可能使用1（X4超大核）+5（2*A730大核+3*A710大核）+2（A520小核）。甚至可能使用更激进的2+4+2架构，即采用双超大核设计。以进一步提高性能。

无论是1+5+3还是2+4+2架构，其实都透露出一个信息，那就是高通会在下一代的旗舰芯片中，继续增加大核，甚至是超大核芯片，同时消减小核芯片。核战争将再度来临。其实这也不奇怪，毕竟在骁龙8 Gen 2中，高通已经使用了1+4+3的架构，较之前的1+3+4架构而言，增加了一个大核。而正是这样的改变，让骁龙8 Gen2在面对天玑9200时，占尽优势，不仅在跑分上有约5%的优势，在市场上更是压的天玑9200抬不起头，在性能TOP 10产品中，骁龙8 Gen 2占了九席之多。

实际上，在SOC竞争中，高通在核心上已难有优势，Kryo CPU基于ARM架构，高通自研和改进部分极少，Adreno GPU的性能也逐渐被ARM Mal追上，核心同质化，这也是高通在前些年，面对联发科和麒麟的进攻中，难有性能优势的根本原因。而在核心同质化时代，想要再提升性能，最简单的办法自然是增加大核甚至是超大核的数量，这样就能够在核心性能接近的前提下，让SOC获得更加强大的性能。

当然，想要增加大核，也不是件容易的事，首先面临的就是发热问题，从骁龙8Gen2的表现来看尽管骁龙8 Gen3依旧使用4nm工艺，增加一个A7系列的大核还是没什么问题的。但能否增加一个X4超大核就不大好说了，从这点说，也许高通对骁龙8 Gen3本身就有1+5+2和2+4+2这两种方案，具体选哪一种，也许要流片后根据发热来确定。

而另一个问题则是核心调度，实际上，骁龙8Gen2的架构从之前的1+3+4改变为1+4+3架构，不仅是多调度一个大核，同时，其4个大核又由A715 A710两种核心组成，这实际上让骁龙8Gen2组成四重簇结构，再加上32位和64位不同的应用要调入相应的核心等等，这都要对调度机制进行全面改进，而在骁龙8Gen3上，无论是增加大核还是超大核，其调度难度都会有所增加，

而核心调度或是联发科的薄弱环节，虽然三重簇架构最早是联发科在Helio X20使用，但糟糕的调度，也创造出了“一核有难，九核围观”的笑话。之后，联发科在多重簇调度上就远落后于高通，如高通在2018年的骁龙855上就使用了1+3+4架构，而联发科直到2022年的天玑9000上才使用这一架构，而在中端芯片上，甚至只有今年的天玑8200才使用了1+3+4架构。骁龙8Gen2使用1+4+3架构，想来联发科也是早就知道的，只不过由于调度上难于满足要求，因此在天玑9200上依旧使用1+3+4架构。

在这种情况下，联发科或在明年的旗舰芯片，甚至是未来一段时间内，依旧使用1+3+4架构。在2023年，联发科的日子并不好过，高端市场上骁龙8Gen2已经力压天玑9200，中端市场上，骁龙 7 Gen2也将天玑8200逼近墙角。在这种情况下，核心调度表现不佳，或让联发科明年的日子更加难过，不仅好不容易获得的旗舰市场会损失殆尽，甚至连中端市场也会进一步萎缩。

核战争，对联发科巨大的考验即将来到。