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每年到这时候,随着下一代旗舰芯片设计的完成,并开始进入流片阶段,市场就开始流出下一代手机旗舰芯片的各种信息。近期,微博大V“数码闲聊站”就爆料称高通下一代旗舰芯片SM8650也就是骁龙8 Gen 3不仅可能使用1(X4超大核)+5(2*A730大核+3*A710大核)+2(A520小核)。甚至可能使用更激进的2+4+2架构,即采用双超大核设计。以进一步提高性能。

无论是1+5+3还是2+4+2架构,其实都透露出一个信息,那就是高通会在下一代的旗舰芯片中,继续增加大核,甚至是超大核芯片,同时消减小核芯片。核战争将再度来临。其实这也不奇怪,毕竟在骁龙8 Gen 2中,高通已经使用了1+4+3的架构,较之前的1+3+4架构而言,增加了一个大核。而正是这样的改变,让骁龙8 Gen2在面对天玑9200时,占尽优势,不仅在跑分上有约5%的优势,在市场上更是压的天玑9200抬不起头,在性能TOP 10产品中,骁龙8 Gen 2占了九席之多。

实际上,在SOC竞争中,高通在核心上已难有优势,Kryo CPU基于ARM架构,高通自研和改进部分极少,Adreno GPU的性能也逐渐被ARM Mal追上,核心同质化,这也是高通在前些年,面对联发科和麒麟的进攻中,难有性能优势的根本原因。而在核心同质化时代,想要再提升性能,最简单的办法自然是增加大核甚至是超大核的数量,这样就能够在核心性能接近的前提下,让SOC获得更加强大的性能。

当然,想要增加大核,也不是件容易的事,首先面临的就是发热问题,从骁龙8Gen2的表现来看尽管骁龙8 Gen3依旧使用4nm工艺,增加一个A7系列的大核还是没什么问题的。但能否增加一个X4超大核就不大好说了,从这点说,也许高通对骁龙8 Gen3本身就有1+5+2和2+4+2这两种方案,具体选哪一种,也许要流片后根据发热来确定。

而另一个问题则是核心调度,实际上,骁龙8Gen2的架构从之前的1+3+4改变为1+4+3架构,不仅是多调度一个大核,同时,其4个大核又由A715 A710两种核心组成,这实际上让骁龙8Gen2组成四重簇结构,再加上32位和64位不同的应用要调入相应的核心等等,这都要对调度机制进行全面改进,而在骁龙8Gen3上,无论是增加大核还是超大核,其调度难度都会有所增加,

而核心调度或是联发科的薄弱环节,虽然三重簇架构最早是联发科在Helio X20使用,但糟糕的调度,也创造出了“一核有难,九核围观”的笑话。之后,联发科在多重簇调度上就远落后于高通,如高通在2018年的骁龙855上就使用了1+3+4架构,而联发科直到2022年的天玑9000上才使用这一架构,而在中端芯片上,甚至只有今年的天玑8200才使用了1+3+4架构。骁龙8Gen2使用1+4+3架构,想来联发科也是早就知道的,只不过由于调度上难于满足要求,因此在天玑9200上依旧使用1+3+4架构。

在这种情况下,联发科或在明年的旗舰芯片,甚至是未来一段时间内,依旧使用1+3+4架构。在2023年,联发科的日子并不好过,高端市场上骁龙8Gen2已经力压天玑9200,中端市场上,骁龙 7 Gen2也将天玑8200逼近墙角。在这种情况下,核心调度表现不佳,或让联发科明年的日子更加难过,不仅好不容易获得的旗舰市场会损失殆尽,甚至连中端市场也会进一步萎缩。

核战争,对联发科巨大的考验即将来到。

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