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IT之家 4 月 20 日消息,SK 海力士官网宣布,再次超越了现有最高性能 DRAM(内存)——HBM31 的技术界限,全球首次实现垂直堆叠 12 个单品 DRAM 芯片,成功开发出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新产品。该公司表示,目前正在向客户提供样品,并进行性能评估。

SK 海力士表示:“继去年 6 月率先量产业界首款 HBM3 之后,公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加 50% 的 24GB 封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品,以满足由 AI 聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

SK 海力士的工程师通过应用先进的批量回流模压填充(MR-MUF) 技术,提高了新产品的工艺效率和性能稳定性,同时通过硅通孔(TSV) 技术,将单个 DRAM 芯片的厚度降低了 40%,达到了与 16GB 产品相同的堆叠高度水平。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次开发出来的一种内存,由于它在实现运行在高性能计算(HPC)系统中的生成型 AI 中起着至关重要的作用,因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 HBM3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品,因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

SK 海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了 24GB HBM3 产品的样品,同时该产品的性能评估也在进行中。

“SK 海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的 HBM 产品,是因为它在后端工艺中运用了领先的技术,”SK 海力士封装测试部门负责人洪相厚说,“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作,以进一步巩固其在 AI 时代尖端 DRAM 市场中的领导地位。”

IT之家注:HBM(High Bandwidth Memory)是一种高价值、高性能的内存,通过垂直连接多个 DRAM 芯片,与传统的 DRAM 产品相比,大幅提高了数据处理速度。HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的顺序开发。现有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆叠 8 个单品 DRAM 芯片的 16GB。

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