目前的芯片制造流程,均是基于光刻流程,所以光刻机必不可少。


(资料图片)

而按照光刻机的种类,目前可以分为EUV、DUV、KrF、G线/I线等。而DUV又分为浸润式光刻机,干式光刻机。

其中EUV主要用于7nm以下工艺,浸润式用于7-65nm,干式光刻机用于65-130nm,KrF用于130-350nm,而而G线/I线用于350nm+。

但EUV光刻机全球只有ASML一家能够生产,所以可以说,全球的先进芯片产业,都被ASML卡住了脖子,只要ASML不卖EUV光刻机,没有哪一家厂商能够进入7nm工艺以下。

这当然是其它厂商不能忍的,所以其它的厂商,均想研发出新的技术,来替代EUV光刻机。

其中佳能是押注NIL纳米压印技术,就是像芯片的电路图刻到一个章子上,再将这个章子盖章一样盖到硅晶圆上,形成芯片。

不过目前这种技术,还处于早期阶段,但佳能表示到2025年要进入5nm,让大家绕开EUV光刻机,所以行不行,得看2025年。

而近日,另外一种技术又被众多的厂商提及,特别是intel还表示有了一些突破,已经用这种技术,搞定了18nm工艺,接下来有望进入到5nm,绕开EUV光刻机。

这种技术是什么呢,叫做DSA自组装技术,它并不是新东西,实际上10多年前就提出来了。原理就是利用一些化学药品,腐蚀硅晶圆,让硅晶圆在控制下,直接生成电路图。

不过早期,因为这种方法缺陷太大,生产的图案可控性不强,所以一直被大家忽视了,尤其当EUV技术出来之后,大家都选择了EUV光刻,很少有厂商去研究DSA了。

但现在摩尔定律快要失效了,光刻技术似乎已经无法支撑摩尔定律的发展,所以像NIL、DSA技术,才再度兴起,很多人觉得,利用NIL、DSA技术,或许可以给摩尔定律续命。

而英特尔通过研发,已经实现了一种DSA增强的EUV多图案化方法,最终金属间距为18nm,电气性能稳健,于是DSA技术,似乎又被大家重视了起来。

当然,从18nm进入5nm,可能要很久,甚至永远也进不了,但是很多企业还是表示有信心,觉得DSA肯定能够搞定EUV搞定的事情,甚至还会做到更好。

所以未来,究竟是EUV技术牛,还是DSA技术好,或者NIL技术更强,只有用时间来证明了。

不过值得一提的,目前从DSA技术,或者NIL技术,以及EUV技术来看,中国都是处于相对落后的,这些技术的专利,主要还是掌握在国外厂商的手中,EUV技术是ASML,NIL技术是佳能,而DSA技术主要是美欧厂商,所以中国还得加油。

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